ALD是當今半導體製程中非常受到重視與仰賴之奈米超薄膜(ultrathin film) 沉積技術。ALD 製程技術可將奈米超薄膜的厚度精準地控制在原子級尺度，同時具有大面積均勻成長與在高深寬比結構上均勻覆膜的能力，是半導體先進製程上相當關鍵的技術。ALD是原子級接合(Atom Deposition)，在鍍膜上具備保形(Conformality)、均勻(Uniformity)、低溫製程(Low Temperature)等優良特性，在高階半導體製程取代CVD、PVD鍍膜技術。
因應tsmc高階半導體製程及iphone手機光學鏡頭的需求，對於周邊設備零件的精細度要求倍增。本公司具備中尺寸規模的ALD鍍膜能力，可以服務各種ALD鍍膜需求。
ALD 製程技術特點
- 將奈米超薄膜的厚度精準地控制在原子級尺度，
- 同時具有大面積均勻成長與在高深寬比結構上均勻覆膜的能力，
- 是目前 12 吋矽晶圓與鰭式場效電晶體 (fin field-effect transistor, FinFET) 製程上相當關鍵的技術。
- iphone使用光學鏡頭的鍍膜技術，奈米等級精細且均勻的鍍膜厚度。
- 在高深寬比且不規則形狀的表面上，其鍍膜均勻性最佳。
PVD VS. ALD於曲面鍍膜的比較
ALD在表面處理中屬於頂尖地位另外，ALD也是表面處理(surface treatment)的一種，其精細度是所有鍍膜中最為精細者。尺度達到0.1nm(原子)等級，在表面處理中的地位如下:
綜觀以上所述ALD特性，ALD可滿足使用者需求：
- 高精度：ALD技術能夠在奈米級別控制薄膜的厚度和組成，因此使用者可獲得高精度的薄膜沉積。
- 均勻性：ALD能夠在大面積、不規則的表面上均勻地沉積薄膜，薄膜在整個表面都是均勻性最高。
- 不規則及立體表面：在半導體上已有3D立體構造，唯有ALD可做到均勻且覆蓋性佳的鍍層。另外在非半導體業非平面不規則的工件上，ALD的均勻性亦非其他鍍膜可比。
- 高強度薄膜：ALD可生成高緻密、高強度、自潤滑的陶瓷薄膜。適合不同使用者的需求，保證元件的長期穩定性和有效性。
- 低污染性：ALD製程為乾式鍍膜，不會有溶劑及其他液體廢液。使用者使用ALD設備和材料需要具有低污染性。
